Электромиграция
Электромиграция — весьма неприятное явление, перенос ионов в проводнике, по которому прёт тугим потоком постоянный электрический ток высокой мощности.
Описание[править]
В целом это просто физическое явление, но оно оказывается довольно сильным в микросхемах, где техпроцесс становится всё меньше и меньше, соответственно вред от потенциальных наводок малой мощности может быть значительным. При уменьшении размеров структур плотность тока растёт пропорционально квадрату коэффициента уменьшения, таким образом электромиграция становится значительно мощнее.
В одних местах образуются пустоты, вызывающие обрывы цепи, в других холмики, из-за которых начинаются короткие замыкания. Если же кристалл значительно нагревается, то процесс становится более скоростным, соответственно отказ системы ускоряется.
Самые первые интегральные схемы накрывались уже через несколько недель из-за неконтролируемой электромиграции.
Особенно проблема жужжала в алюминии, и когда перешли на медь во время значимого сокращения техпроцесса, то проблема стала меньше, ибо медь металл благородный, а не какой-то там мигрант, и соответственно даже под высоким давлением решительнее остаётся на своём месте.
Из-за этого любая интегральная микросхема имеет срок службы и лишь вопрос времени, когда она откажет. Отсюда же сильный оверклокинг приводит к тому, что кристалл может отправиться в афедрон и вовсе меньше чем за год. Однако современные чипы проектируются с достаточным запасом надёжности, например более 100 000 часов при максимальной нагрузке, то бишь 10 лет, что вполне хватает.
